Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 500 Go 2,5''SATA 3

Samsung 860 EVO 500 Go 2,5 ' ' SATA 3

Nous vous présentons la nouvelle version des ventes SATA SSD l &iuterer, le Samsung 860 EVO. La nouvelle SSD dispose du Samsung V-NAND Samsung et d'un contrôleur robuste basé sur un algorithme, et est disponible dans différents formats et capacités.

Profitez d'une vitesse constante, même avec de grandes charges de travail et une multitâche. L'unité SSD 860 EVO de Samsung fournit une vitesse d'écriture séquentielle allant jusqu'à 520 Mo / s grâce à la technologie intelligente TurboWrite íg, et un débit d'écriture séquentiel allant jusqu'à 550 MB/s. Le Tama ñ ou la mémoire tampon TurboWrite a été amélioré de 12 Go à 78 Go, ce qui vous offre un transfert de fichiers &aecas r &arecute;

Les magasins sécurisés et les rendu en continu rendent et rendent les données 3D utilisées par les dernières applications, jusqu'à 8 fois le TBW (Terabytes écrits)     que le modèle précédent 850 EVO. La dernière technologie í un V-NAND fournit une fiabilité du marché avec 5 à ñ s de í à ou 2 400 TBW.

Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Le nouvel algorithme ECC   et son pilote MJX génèrent des &aasties à grande vitesse, tandis que sa file d'attente TRIM ó améliorée favorise sa compatibilité avec Linux. Notre ingénieur de pointe íos a har &aetuos our SSD 860 EVO m &aUteres compatible avec votre système d'exploitation.

Quel que soit le tama ñ ou votre ordinateur, il y aura toujours un SSD 860 EVO pour vous. Choisissez le modèle 2.5 ” pour votre PC ou port &atil, ou SATA M. 2 (2280) et mSATA pour les équipements ultra-légers. En tant que simple.

Spécifications des EVO Samsung 860:

• Série: SSD 860 EVO
• Interface: SATA 6 Gb / s interface, compatible avec SATA 3 Gb / sy SATA 1.5 Gb / s interface
• Capacité: 500 Go *La capacité réelle utilisable peut être inférieure (en raison de la mise en forme, des partitions, du système d'exploitation, des applications ou d'autres)
• Lecture séquentielle jusqu'à 550 Mo / s * La performance peut varier en secondes &uendon du système
• Ecritures séquentielles: Jusqu'à 520 Mo / s écrire séquentiel * La performance peut varier en secondes &uatucn le matériel et configurationSystem &obution
• Random Read Rate: Random Read (4 Ko, QD32): jusqu'à 98 000 IOPS aléatoires Lectures aléatoires (4 Ko, QD1): jusqu'à 10 000 lecture aléatoire IOPS
• * Les performances peuvent varier en secondes du matériel et de la configuration du système
• Random write Vitesse: Random write: Random write (4 Ko, QD32): jusqu'à 90 000 écritures aléatoires IOPS (4 Ko, QD1): jusqu'à 42 000 écritures aléatoires IOPS
• * Performance can vary sec &uendon hardware and configuration
• Samsung MJX Controller
• NAND Flash: Samsung V-NAND 3bit MLC
• Cach Memory: Samsung 512 MB low-power DDR4 SDRAM
• Trim Support: S &iactos
• Encryptaci 256-bit AES (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (unité codée)
• Fiabilité (MTBF): 1,5 million d'heures de fiabilité (MTBF)