Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 250 Go 2,5''SATA 3

Samsung 860 EVO 250 Go 2,5 ' '

Nous vous présentons la nouvelle version des ventes SATA SSD l &iuterer, le Samsung 860 EVO. La nouvelle SSD dispose du Samsung V-NAND Samsung et d'un contrôleur robuste basé sur un algorithme, et est disponible dans différents formats et capacités.

Profitez d'une vitesse constante, même avec de grandes charges de travail et une multitâche. L'unité SSD 860 EVO de Samsung fournit une vitesse d'écriture séquentielle allant jusqu'à 520 Mo / s grâce à la technologie intelligente TurboWrite íg, et un débit d'écriture séquentiel allant jusqu'à 550 MB/s. Le Tama ñ ou la mémoire tampon TurboWrite a été amélioré de 12 Go à 78 Go, ce qui vous offre un transfert de fichiers &aecas r &arecute;

Les magasins sécurisés et les rendu en continu rendent et rendent les données 3D utilisées par les dernières applications, jusqu'à 8 fois le TBW (Terabytes écrits)     que le modèle précédent 850 EVO. La dernière technologie í un V-NAND fournit une fiabilité du marché avec 5 à ñ s de í à ou 2 400 TBW.

Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Le nouvel algorithme ECC   et son pilote MJX génèrent des &aasties à grande vitesse, tandis que sa file d'attente TRIM ó améliorée favorise sa compatibilité avec Linux. Notre ingénieur de pointe íos a har &aetuos our SSD 860 EVO m &aUteres compatible avec votre système d'exploitation.

Quel que soit le tama ñ ou votre ordinateur, il y aura toujours un SSD 860 EVO pour vous. Choisissez le modèle 2.5 ” pour votre PC ou port &atil, ou SATA M. 2 (2280) et mSATA pour les équipements ultra-légers. En tant que simple.

Spécifications des EVO Samsung 860:

• Série: SSD 860 EVO
• Interface: SATA 6 Gb / s interface, compatible avec l'interface SATA 3 Gb / s et SATA 1,5 Gb / s
• Capacité: 250 Go *La capacité réelle utilisable peut être inférieure (en raison de la mise en forme, des partitions, du système d'exploitation, des applications ou autres)
• Lecture séquentielle jusqu'à 550 Mo / s
  • * Les performances peuvent varier en secondes &uendon
  • Vitesse d'écriture séquentielle: Jusqu'à 520 Mo / s écrire séquentiel
    • * Les performances peuvent varier sec&uastin le matériel système et
    • Taux de lecture aléatoire: lecture aléatoire (4 Ko, QD32): Jusqu'à 98 000 lectures aléatoires aléatoires d'IOPS (4 ko, QD1): jusqu'à 10 000 lectures aléatoires IOPS
      • * Les performances peuvent varier en fonction du matériel système &uendon
      • Ecriture aléatoire: Ecriture aléatoire (4 Ko, QD32): jusqu'à 90 000 écritures aléatoires IOPS (4 ko, QD1): jusqu'à 42 000 écritures aléatoires IOPS
        • * Performance
        • Matériel et
  MJX Controller
  • NAND Flash: Samsung V-NAND 3bit MLC
  • Cach Memory &eachoes: Samsung 512 Mo low power DDR4 SDRAM
  • Trim Support: S &iactos
  • Encryptaci 256-bit AES (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (unité chiffrée)
  • Fiabilité (MTBF): 1,5 million d'heures de fiabilité (MTBF)